Results 1 to 9 of 9

Thread: Увеличение объёма RAM в WL500gp/WL500w/WL700gE до 128 мегабайт

  1. #1
    Join Date
    Dec 2003
    Location
    Russian Federation
    Posts
    8,353

    Увеличение объёма RAM в WL500gp/WL500w/WL700gE до 128 мегабайт

    Для справки: изначально в WL500gp и WL500w (платы которых практически идентичны) установлены 2 микросхемы HY5DU281622ETP-5
    (организация 8Mx16) DDR SDRAM суммарным объёмом 32 мегабайта.
    В WL700gE используются 2 микросхемы K4H561638F-UCCC (организация 16Mx16) DDR-SDRAM суммарным объёмом 64 мегабайта.

    Здесь представлена информация об увеличении памяти этих устройств до 128 мегабайт на примере WL500g Premium.

    Итак, Вам потребуется приобрести две микросхемы DDR SDRAM ёмкостью 512 мегабит, с организацией 32Mx16 и рабочей частотой не менее 166 мегагерц.
    Кроме того, при модификации WL500gp/WL500w необходимо найти миниатюрный SMD-резистор типоразмера 0402 номиналом в 22 ома.

    Проще всего найти необходимые микросхемы на 4-х чиповых DIMM DDR модулях PC2700/PC3200 объёмом в 256 мегабайт (получается комплект на 2 устройства).
    Поскольку изначально используется память Hynix было решено найти модуль, использующий микросхемы этого же производителя. Кроме того, в настоящий
    момент, все оригинальные модули Hynix объёмом 256 мегабайт построены на 4-х чипах. Модули PC2700 имеют маркировку HYMD532646CP6J-J, модули PC3200
    - HYMD532646CP6J-D43. В них используются микросхемы HY5DU121622CTP-J и HY5DU121622CTP-D43.

    Я купил HYMD532646CP6J-D43, поскольку целился на PC3200 (DDR400) память.

    Далее тестируем память в ПК, чтобы потом не ломать голову - работает/не работает. Желательно убедится, что она устойчиво работает при напряжении
    питания в 2.5 вольта (если BIOS позволяет менять напряжение).

    Далее разбираем устройство. http://oleg.wl500g.info/wl500gp/1136.jpg

    В WL500gp/WL500w устанавливаем резистор на адресную линию A12, которая необходима для адресации всех 128 мегабайт памяти (иначе Вы получите
    только 64 мегабайта). С нижней стороны платы отклеиваем экран из фольги, расположенный под модулем процессор-память. Фольгу следует отклеивать
    начиная от центра платы. Если Вы будете в дальнейшем пользоваться обычным паяльником, то отклеивать полностью её не нужно. Под фольгой, по всей
    площади, кроме краёв, что-то типа толстого двустороннего скотча. После удаления фольги впаиваем резистор обозначенный как R43. Он единственный
    отсутствующий в ряду резисторов с номиналом в 22 ома (на фото он уже впаян, обведён красным цветом).



    Для удобства срезаем часть экрана ("перекрестие") на верхней части платы.



    Далее переходим к замене микросхем памяти. Делалось это так:
    Quote Originally Posted by Serg22
    Нижний подогрев платы 100-120 гр. ц. (не мене 3 мин), верхний прогрев чипа 360-370 гр. ц. с проверкой на отлип (в течении 40-60 сек.
    припой должен поплыть). Подготавливаем контактные площадки конвекцией (500гр. ц.) с обильным флюсом. Чип на место, следите за ключем! И пропайка
    конвекцией (400-450гр. ц.) и не жалейте флюс (кашу маслом...). Чипы терпеливые, непродолжительный прогрев 500-520гр.ц. (40-60сек.) держат легко.
    Не догреете - напоритесь на наши грабли, т.е. НЕПРОПАЙ.
    Результат выглядит так:


    Совет повторяющим мод: до начала всех операций выполните
    Code:
    nvram set sdram_init=0x000b
    nvram set sdram_config=0x0032
    nvram set sdram_ncdl=0
    nvram commit
    чтобы осталось только 16 мегабайт памяти и у моей прошивки пропало желание их расширять (для этого ставим cas=3). При этом отключится один из чипов (U4).
    Далее заменяем U3 на большую, включаем устройство. Оно должно загрузиться и показать 32 мб памяти. После этого меняем U4, включаем, видим 32 мб и выполняем

    Code:
    nvram set sdram_init=0x0011
    nvram set sdram_config=0x0062
    nvram set sdram_ncdl=0
    nvram commit
    Учтите, что в "обычных" прошивках линукс в настоящий момент рушится при обнаружении 128 мегабайт, не подавая признаков жизни. Поэтому использовать их
    Вы сможете только с моей прошивкой, пока этот патч не будет добавлен в OpenWRT (и соответственно в DD-WRT), а также АСУСтеком (это почти фантастика).
    Без их модификации можно будет использовать 64 мегабайта:

    Code:
    nvram set sdram_init=0x0009
    nvram set sdram_config=0x0062
    nvram set sdram_ncdl=0
    nvram commit
    Правильную прошивку желательно прошить заранее.

    Прошивка для WL500g Premium, с поддержкой 128 мегабайт. Это 7f с единственным изменением.

    В WL500w изменения производятся аналогичным образом, за исключением того, что пока прошивок,
    кроме оригинальной для него нет, т.е. Вы будете ограничены 64 мегабайтами памяти.

    В WL700gE резистор уже впаян, фольги с обратной стороны платы нет. Необходимо просто заменить
    микросхемы, но опять таки без правильной прошивки 128 мегабайт разрешать нельзя.

    Очень рекомендуется иметь сериальный кабель для подключения консоли...
    Патч, для нормальной работы со 128 мегабайтами памяти лежит здесь.

    Выражаю огромную благодарность Serg22 за проведение модификации моего устройства, а также
    ThinkPad, coraxpda, VadimVB и khorus за моральную поддержку и советы.

    Обсуждение было здесь
    Last edited by Omega; 13-05-2012 at 14:50. Reason: fixed

  2. #2
    Join Date
    Dec 2003
    Location
    Russian Federation
    Posts
    8,353

    Продолжение

    К сожалению, стабильность работы двух Hynix была не удовлетворительной. Т.е. на тесте памяти начинали сыпаться ошибки:

    Апдейт. Нестабильно работает память, второй чип (уже и меняли и прочее). Причём проблема только с битами 8-15. На втором устройстве тоже самое. На штатной частоте одно из устройств вроде работает (но с обоими экранами), а вот второе нет. Если этот чип запретить, то всё в лучшем виде, но только 64МБ и шина 16бит... В общем я теперь ищу Самсунг, может с ним повезёт...
    Решили попробовать другие чипы (не Hynix).

    Пока не удалось найти больших чипов попробовали 256 мегабитные - какой-то Infenion DDR 333 и Samsung K4H561638F-TCB3. Результат: Infenion - опять не работает 4й чип. Samsung - работает. Причём без экранов. 64 мегабайта отлично живут.


    Апдейт. В выходные Thinkpad купил со-димм Самсунговский 512 мегабайт, ддр-333. Там восемь чипов, которые мы искали. Сегодня я эту память забрал и Сергей заменил U4 на самсунг (U3 оставили Hynix). И всё! Оно заработало даже без экранов. Кроме того, процессор разогнали до 300 МГц, уменьшили CAS latency до 2-х тактов. Всё работает. Провели и другой эксперимент: положили сверху на память сотовый телефон, который в этот момент "разговаривал" с роботом. Никаких ошибок.


    Да, ещё кое-что: вчера во втором моём премиуме тоже меняли микросхемы, чтобы убедится, что всё нормально. Так вот, там смешная картина: при передёргивании питания с разрешённой U4 он не подавал признаков жизни (восстанавливали 9-й ногой), при этом при перезагрузке отлично работал, не давая никаких ошибок.

    В результате экспериментов Сергей установил, что если положить палец на резисторы с верхней стороны, то он включается нормально. В общем выяснилось, что нужно "касаться" резистора, идущего на ногу 51 (UDQS) U4. Нужна была ёмкость какая-то, чтобы подправить сигнал (странно это конечно ). Два кондёра ёмкостью 2-5 пФ с планки Хиникс, посаженные на эту ногу и землю, проблему решили. Заводится стабильно.

    К чему это я: этот сигнал как раз отвечает за самый старший байт в 32-х битном слове, т.е. именно тот, который давал ошибки с двумя Хиниксами. Мы его тогда подозревали, но с ёмкостями тогда не игрались. В общем, возможно, что и Hynix заработает, но проверять желания уже нет.
    Last edited by Omega; 17-11-2013 at 16:20. Reason: fixed

  3. #3
    Join Date
    Dec 2003
    Location
    Russian Federation
    Posts
    8,353

    Девайсы Serg и ThinkPad

    Следующие попытки. В двух устройствах (Serg, ThinkPad) были заменены микросхемы на Самсунги, завелись без проблем.

    Фото здесь В одном из устройств распаяли один внутренний USB 2.0 порт.
    Обвязка минимальная - 2 резистора 15 кОм притягивают сигнальные линии к земле.
    Last edited by Omega; 03-11-2012 at 04:08. Reason: fixed

  4. #4
    Join Date
    Dec 2003
    Location
    Russian Federation
    Posts
    8,353

    Девайсы sukhodolsky и dark1st

    Остатки самсунгов ThinkPad передал следующим.

    Quote Originally Posted by sukhodolsky
    Ну вообщем после возни с терминалкой (очень полезная весчь могу я сказать) и прочими настройками запустили рутеры. (была затея за один день переделать два wl500gp)

    У меня Samsung+Hynix, у Dark1st - оба Hynix. Мне пришлось повесить ёмкость на 51 ногу U4 4,3пФ (сходу заработало, в том числе и на 300мгц я оптимум подбора емкости не проверял), Dark1st запаяли ёмкость 7,5пф - ему 4,3пф было мало, тоже заработал на 300мгц, sdram_config = 0x62. Сейчас у меня нормально работаел sdram_config=0x22

    Все мои незаводки, на коих я потерял полдня, был кусочек олова случайно попавший в FLASH spansion от встряски (ну не факт что он - но был он там) и приподнятый резистор вместе с чипом случайно, причем очень незаметно приподнятый.

    Тест памяти с мобилкой в режиме разговора на открытом экране прошёл, что дальше тестить я пока не знаю - закрывать ещё не хочу, вообщем то результат положительный есть и ладно... Напрягает конечно решение с конденсатором, очень охота от него избавиться....

    Кстати тест памяти с CAS=2,5 и с CAS=2 проходят примерно теже 2845 сек, что вообщем то непонятно - где-ж прибавка к скорости при CAS=2?
    Quote Originally Posted by sukhodlsky
    Последние новости с фронта: мой рутер WL500gp (который быд Hynix+Samsung+4,7пф на UDQS U4) с тем же успехом НЕ работает, если запаять Samsung+Samsung (как я понял с той планки, с которой спаивали чипы Олег и Thinkpad) без дополнительных ёмкостей.

    Напайка емкости 2,2(!)пф на UDQS U4 решает проблему, ну 1 цикл теста памяти на 300мгц с CAS=2 проходит, дальше я пошел домой

    Дополнение - 6,8пФ на UDQS много в моем случае - были ошибки памяти именно в той части, которой заведует UDQS.

  5. #5
    Join Date
    Dec 2003
    Location
    Russian Federation
    Posts
    8,353

    Обсуждение

    Одним утром я случайно грохнул всю ветку с обсуждением.

    Но, добрые люди, помогли.

    В общем теперь вся старая ветка лежит в архиве: навигация по страницам работает, картинки и аттачменты показываются практически все, остальные ссылки не ведут в пустоту.

    Продолжение обсуждения будет здесь: http://wl500g.info/showthread.php?t=7523

  6. #6
    Join Date
    Dec 2003
    Location
    Russian Federation
    Posts
    8,353

    Модернизация WL-700gE

    Пару слов про модернизацию WL-700gE, которую мы с Сергеем осуществили этой весной,
    но у меня так и не дошли руки написать об этом.

    Итак, что мы сделали:

    1) увеличили объём RAM до 128 мегабайт (всё аналогично Premium, но не нужно распаивать резистор);
    2) увеличили объём флешки с 2-х до 8-ми мегабайт, с тем чтобы можно было использовать мои прошивки
    (дело в том, что WL-700gE это практически Премиум, только с IDE интерфейсом).

    По второму пункту подробнее: Upgrading WL-700gE flash to 8MB

    Флешку взяли с одного убитого Премиума (так нелюбимый мною Spansion с MirrorBit: S29GL064M-90TFIR7).
    Старую флешку выпаяли, слили бутлоадер, залили его в новую флешку и посадили её на место старой.
    Дальше, необходимо произвести следующие изменения:

    Code:
    R179 - пусто 			- поставить перемычку (A21)	- 9 нога
    R180 - перемычка (А19)		- убрать перемычку		- 9 нога
    R181 - пусто (RY/BY#)		- поставить перемычку (A19)	- 15 нога
    R185 - стоит резистор (BYTE#)	- заменить на перемычку (Vio)	- 47 нога
    Откуда эта информация: во-первых, даташит на обе микросхемы, во-вторых, если посмотреть разводку
    платы, то становится ясно, что WL-500gP и WL-700gE близнецы и братья. Мы просто аккуратно прозвонили
    резисторы-перемычки у ног, чьё назначение меняется. Сначала правда забыли про 47 ногу.

    Сейчас я пишу по памяти и глядя на результат переделки, в поисках следов пайки.

    Получившееся устройство я назвал просто: WL700g. Сделал для него свою прошивку.
    Дополнительно я заменил 3.5" винчестер на тихий 2.5" от фуджитсу 4200рпм, стало тихо.



    Полезная ссылка на внутренности WL-700gE: httр://www.sukkamehulinko.romikselle.com/wl700g/



    Adding a Serial Console to an Asus WL-700gE

    OpenWrt - Custom Firmware on ASUS WL700gE
    Last edited by Omega; 05-06-2013 at 21:59. Reason: fixed

  7. #7
    Join Date
    Aug 2007
    Location
    Санкт-Петербург
    Posts
    379
    Покапался по форуму, ни где нет рекомендаций по выбору модулей доноров для перепайки памяти.
    Решил написать свой вариант FAQ , может кого-то убережет от покупки не тех модулей, кто не шарит в микрухах памяти.

    Если Вы решили сами увеличить память до максимума, к примеру WL-500gP 128МБ или WL-500gP V2 64МБ, то Вам предстоит найти модули доноры для того что бы достать нужные чипы.
    нужны чипы 64МБ (512 мегабит ) DDR , не ниже 333МГц (DDR 2700) с внутренней организацией 32М х 16 (читать как 32 мегаслова на 16 разрядов) в корпусе 66-PIN TSOP

    Такие чипы стоят на 4-х чиповых модулях SO-DIMM DDR 256МБ (память для ноута), если модуль 4-х чиповый и объем 256МБ, то микрухи однозначно будут 32М х 16, но такую память уже сложно достать, поэтому возникает вопрос а можно ли спаять с обычного DDR.

    Обычно DDR идут на 8-ми чипах, объемом (64МБ х 8 чипов) 512МБ и тут есть подвох, нужно не ошибиться
    8-ми чиповые DDR 512МБ бывают собраны на микросхемах со следующей организацией.
    1. Однобанковый модуль (1 RANK ) - 8 чипов 64М х 8 (64 мегаслова на 8 бит)
    2. Двухбанковый модуль (2 RANK ) - 8 чипов 32М х 16 (32 мегаслова на 16 бит)
    Если вы хотите расширить память на полную (128МБ в 500gP), то п.1 не подойдет.

    Бывает двухбанковый модуль (2 RANK ) - 16 чипов 32М х 8 (32 мегаслова на 8 бит) - эти откидываем, 16 чипов видно сразу.

    Как теперь отличить подходящие нам чипы на 8-ми чиповом модуле от “не правильных”:
    Продавцы обычно не знают какую организацию имеют сам модуль – однобанковый или двубанковый, и даже если якобы знают, то лучше смотреть своими глазками прямо на чипе.

    Как маркируются чипы 32М х 16 разных производителей (там где в маркировке указана разрядность 16 , выделено синим цветом)
    маркировка микросхем дана как пример, в зависимости от ривизии, рабочей температуры, задержек и др. - буковки в конце маркировки могут быть различны


    NCP - NP25D3216512K
    Samsung - K4H511638B
    Samsung - K4H511638C
    Samsung - K4H511638D
    Samsung - K4H511638F
    Hynix - HY5DU121622CTP
    Infineon - HYB25D512160CE
    Micron - MT46V32M16TG
    Elpida - EDD5116ADTA
    Elpida - EDD5116AFTA
    Nanya - NT5DS32M16BS

    Не забывать что корпус микросхемы на модуле должен быть TSOP 66-PIN
    И насколько я знаю народ проверял только самсунг, если у кого есть проверять чипы от других производителей – флаг в руки.
    Кто хочет увидеть спек на микрухи своими глазками, вводим название микрухи сюда
    http://www.allcomponents.ru/search.h...DD5116ADTA&m=0
    и щелкаем по нужному чипу и там уже пидиэфка.

  8. #8

    Lightbulb

    Собрал я статистику о которой так просили - надеюсь будет полезна

    Список серий чипов которые были опробованы и должны подойти (без суффиксов) согласно западным форумам по апгрейду WL500P:

    Samsung K4H511638D
    Hynix HY5DU121622CTP
    Hynix HY5DU121622CLTP
    Hynix HY5DU121622DTP
    Hynix HY5DU121622DLTP
    Micron MT46V32M16TG
    Micron MT46V32M16TGЗ
    Nanya NT5DS32M16BS
    infineon HYB25D512160BE
    Elixir N2DS51216BT-6K
    Promos V58C2512164xxT
    Promos V58C2512164xxTI

    Список конкретных чипов которые были опробованы на нашем форуме:

    K4H511638D-UCCC (покупался отдельно (не в составе модуля))
    Samsung K4H511638B-TCB3
    Samsung K4H511638D-UCB3
    Hynix HY5DU121622CTP-J
    Hynix HY5DU121622CTP-D43
    Hynix HY5DU121622DTP-D43
    Kingston K4H511638C-UCB3
    ELPIDA D5116AFTA-5B-E
    NCP NP25D3216512K-5

    Список конкретных модулей чипы которых были опробованы на нашем форуме:

    Память: 512Mb SO-DIMM PC2700
    Модуль: Samsung M470L6524BT0-CB3
    [Чипы]: Samsung K4H511638B-TCB3

    Память: 512Mb SO-DIMM PC2700 (ROHS)
    Модуль: Samsung M470L6524DU0-CB3
    [Чипы]: Samsung K4H511638D-UCB3

    Память: 256Mb DIMM
    Модуль: Samsung M368L3324BT
    [Чипы]: Samsung K4H511638B-TCB3

    Память: 256Mb SO-DIMM
    Модуль: Samsung K4H511638BT0
    [Чипы]: Samsung K4H511638B-TCB3

    Память: 256Mb DIMM PC2700
    Модуль: Hynix HYMD532646CP6J-J
    [Чипы]: Hynix HY5DU121622CTP-J

    Память: 256Mb DIMM PC3200
    Модуль: Hynix HYMD532646CP6J-D43
    [Чипы]: Hynix HY5DU121622CTP-D43

    Память: 256Mb DIMM PC3200
    Модуль: Hynix HYMD532646CP6J-D43
    [Чипы]: Hynix HY5DU121622DTP-D43

    Память: 512Mb DIMM PC2700
    Модуль: Kingston KVR333X64SC25/512
    [Чипы]: Kingston K4H511638C-UCB3

    Память: 512Mb PC2700
    Модуль: Kingston KVR400X64SC3A/512
    [Чипы]: Hynix HY5DU121622CTP-D43

    Память: 256Mb SO-DIMM PC2700 (ROHS)
    Модуль: Transend TS32MSD64V3M
    [Чипы]: ELPIDA D5116AFTA-5B-E

    Память: 512Mb SO-DIMM PC2700 (ROHS)
    Модуль: Transend TS64MSD64V3M
    [Чипы]: ELPIDA D5116AFTA-5B-E

    Память: 512Mb PC3200
    Модуль: NCP NC00588
    [Чипы]: NCP NP25D3216512K-5

    Список других конкретных модулей которые были опробованы на других форумах и сайтах в инете (наши не дублирую):

    Модуль: Samsung M368L3324BT без суффикса
    [Чипы]: Samsung K4H511638B без суффикса

    Модуль: Samsung K4H511638B без суффикса
    [Чипы]: Samsung K4H511638B без суффикса

    Модуль: Samsung M470L6524BT
    [Чипы]: Samsung K4H511638B без суффикса

    Память: 512Mb PC2700
    Модуль: Kingston KVR400X64SC3A/512
    [Чипы]: Nanya NT5DS32M16BS

    Память: 256Mb PC2100@2700
    Модуль: Kingston KVR400X64SC2.5A/256
    [Чипы]: infineon HYB25D512160BE

    Память: 256Mb DIMM
    Модуль: Micron MT4VDDT3264A
    [Чипы]: Micron MT46V32M16TG

    Память: 512Mb SO-DIMM
    Модуль: Micron MT8VDDT6464H
    [Чипы]: Micron MT46V32M16TG

    Память: 256Mb DIMM
    Модуль: Micron MT4VDDT3264A
    [Чипы]: Micron MT46V32M16TGP

    Память: 512Mb SO-DIMM
    Модуль: Micron MT8VDDT6464H
    [Чипы]: Micron MT46V32M16TGP

    Память: 256Mb SO-DIMM PC2700 (ROHS)
    Модуль: Transend TS32MSD64V4M
    [Чипы]: не указано - возможно как на TS32MSD64V3M или небольшое отличие

    Память: 512Mb SO-DIMM PC2700 (ROHS)
    Модуль: Transend TS64MSD64V4M
    [Чипы]: не указано - возможно как на TS64MSD64V3M или небольшое отличие

    Модуль: Elixir M2Y25664DSH4B1
    [Чипы]: Elixir N2DS51216BT-6K

    Модуль: Elixir M2YU25664DSH4B1
    [Чипы]: Elixir N2DS51216BT-6K

    Модуль: Promos V826732J24SXXX-XX (я так понимаю вместо X могут быть разные буквы)
    [Чипы]: Promos V58C2512164xxTI

    Модуль: Promos V826732J24SXXX-XX (я так понимаю вместо X могут быть разные буквы)
    [Чипы]: Promos V58C2512164xxT

    Списки будут мной редактироваться по мере возможностей добавляться чипы и модули, обозначение (без суффикса) следует понимать, что подойдут любые чипы серии, хотя я личо гарантий никаких не даю, просто пролистал кучу текста и обобщил все в одном месте.

    Еще раз о критериях выбора чипов
    1) Микросхемы DDR 1 с частотой 333mhz или выше (желательно что бы чип работал с задержкой Cl2 на 333Mhz стабильно).
    2) Внутренняя организация чипа должна быть 32М х 16 (читать как 32 мегаслова на 16 разрядов).
    3) Корпус микросхемы 66-PIN TSOP (джедаи могут брать и BGA)


    О критериях выбора модуля см. FAQ от serg28serg

  9. #9
    Как то снес несколько дорожек под чипами и на форуме не смог найти разводку.Выкладываю фотки.Может кому пригодится.
    Для Mr.Hunt.
    Завтра (22.01.09) собираюсь ехать за планками памяти надеюсь пару чипов останется тогда поделюсь.
    Attached Images Attached Images   

Similar Threads

  1. RAM upgrade for wl-500gx
    By Sanvean in forum WL-500g/WL-500gx Tutorials
    Replies: 53
    Last Post: 14-01-2010, 00:43

Tags for this Thread

Posting Permissions

  • You may not post new threads
  • You may not post replies
  • You may not post attachments
  • You may not edit your posts
  •